时间：2025/5/7 15:32:10
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BSC019N04NS G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适合用于高频开关应用和功率转换电路。
这款 MOSFET 的封装形式为 SuperSO8（DDPAK），其典型应用场景包括 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、以及电池保护等。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：62A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：34nC
输入电容：2700pF
总功耗：70W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
BSC019N04NS G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提升效率。
2. 高额定电流和高耐压能力，确保在各种复杂工况下的可靠性。
3. 优化的开关性能，减少了开关损耗，并降低了电磁干扰（EMI）。
4. 小型化封装设计，SuperSO8 封装节省了 PCB 空间。
5. 通过 AEC-Q101 认证，适用于汽车级应用。
6. 在高温环境下仍能保持稳定的性能，适合工业及汽车领域。
该器件广泛应用于多种功率电子场景，包括但不限于：
1. 各类 DC-DC 转换器，例如降压或升压拓扑。
2. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
3. 电动车和混合动力车中的电池管理系统（BMS）。
4. 工业自动化设备中的电机驱动与控制。
5. 高效负载开关设计。
6. 快速充电器和适配器中的功率管理部分。
BSC016N04NS G, BSC020N04NS G
